细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
水爆法 多晶硅粉碎
一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网
2019年12月24日 本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供了一种水爆破碎多晶硅料的方法。 该方法采用装料筐装载原生硅多晶硅棒料进行加热保温，然后在水槽中进 实施例1：一种秸秆的粉碎干燥方法采用的粉磨干燥设备参见图1至图4，包括主磨机57、副磨机61、一级内循环管58、二级内循环管64、外循环管1一种秸秆的粉碎干燥方法与流程2023年5月27日 多晶硅棒破碎是多晶硅后处理工序中相对独立的环节，将其破碎成块状或较小的结构，其主要目的就是将硅原料棒加工成下游厂家生产所需要规格的块状硅体商品。 工业应用领域的多晶硅产品通常为块状。 商业产品中，一 光伏多晶硅料为何需要破碎？如何破碎？ 中国粉体网本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装 一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术
一种水爆破碎多晶硅料的方法[发明专利]百度文库
摘要：本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料 置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载原生硅多晶 2019年12月24日 3根据权利要求1所述的一种水爆破碎多晶硅料的方法，其特征在于，步骤一中所述原生硅多晶硅棒料的导电类型为n型，基磷电阻率大于400ωcm，少数载流子寿命大 一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程2 X技术网摘要：本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料 置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载 摘要： 本 水爆法 多晶硅破碎2024年11月19日 本发明涉及多晶硅材料水淬爆及应力释放处理破碎相关，具体为一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法。 背景技术： 1、节约能源，降低损耗，提高自动化程度已经 一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法与流程
一种水爆破碎多晶硅料的方法 钛学术文献服务平台
2019年10月22日 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载 2012年12月26日 本发明专利技术公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电 一种破碎多晶硅的方法及其装置制造方法及图纸，多晶硅破碎 2023年5月10日 本发明公开了一种单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法，包括：用于容纳硅料棒料的水爆槽，所述水爆槽为矩形状结构，且水爆槽的底面以底面向上延伸 单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法 西门子法多晶硅工艺（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。西门子法多晶硅工艺 百度文库
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一种水爆破碎多晶硅料的方法专利检索利用辅助物理效应的
2019年10月23日 一种水爆破碎多晶硅料的方法专利检索，一种水爆破碎多晶硅料的方法属于利用辅助物理效应的例如利用超声辐射进行粉碎专利检索，找专利汇即可免费查询专利，利用辅助物理效应的例如利用超声辐射进行粉碎专利汇是一家知识产权数据服务商，提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务 2022年1月29日 单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法专利检索，单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法属于利用辅助物理效应的例如利用超声辐射进行粉碎专利检索，找专利汇即可免费查询专利，利用辅助物理效应的例如利用超声辐射进行粉碎专利汇是一家知识产权数据 单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法专利 下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程。通电饱和食盐水点燃焦炭制粗硅粉碎合成SiHCl3提纯SiHC还原多晶硅石英(1)用惰性电极电解饱和食盐水,写出常温下X与Z反应的化学方程式(2)制取粗硅时可以得到一种气体,其化学式为(3)在“合成SiHCls”的过程中,还会生成副产物SiCl。下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程。通电饱和食盐水 2024年12月13日 本申请实施例涉及硅料破碎加工，特别是涉及一种多晶硅水淬装置及硅料水爆设备。背景技术、在光伏、半导体行业，单晶硅被大量使用。目前，大多数单晶硅采用直拉法(cz)制备。在拉制单晶硅料时，一般以多晶硅料为原料，为了提高拉制效率，在将多晶硅料加入坩埚钳，需将多晶硅料破碎成合适 多晶硅水淬装置及硅料水爆设备的制作方法
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一种破碎多晶硅的方法及其装置制造方法及图纸，多晶硅破碎
2012年12月26日 本专利技术资料公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本专利技术资料所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应 2024年2月26日 用于制造硅片的单晶硅锭是通过CZ（直拉）法得到的。以往的文章中有介绍： 《CZ法制造单晶硅工艺全流程介绍》， CZ法的主要原料是十亿分之几(ppb)的 多晶硅，这些多晶硅是以块状的形态被放入 坩埚 中的，但是通过 多晶硅是如何破碎成块状的？ 知乎专栏2019年12月24日 1一种水爆破碎多晶硅 料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤一、将原生硅多晶硅棒料竖直向上摆放在装料框内，然后放置于高真空熔炼炉内，开启机械泵和插板阀门，在25min～30min内对高真空熔炼炉进行抽真空至真空度不超过02mbar 一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程2 X技术网2011年9月13日 高纯多晶硅的生产方法主要有化学法和冶金法 两类。化学法主要采用日本的改良西门子法，该法 通过控制SiHCI，纯度，不仅可生产太阳能级多晶硅 (6—8N)而且还可生产半导体级多晶硅(9～11N)，是目前化学法生产多晶硅最为成熟的工艺，其产品 }卜 ≥、．，\冶金法制备太阳能级多晶硅的原理
单晶硅多晶硅球硅硅粉用超微粉碎机气流粉碎机盖德化工问答
2025年2月8日 单晶硅：通过直拉法（Czochralski法）或区熔法（Floating Zone法）生长单晶硅棒，再切割成硅片。 多晶硅：通过化学气相沉积（CVD）或冶金法生产多晶硅块，再切割成硅片。 2 球硅和硅粉的制备 球硅和硅粉是单晶硅和多晶硅的进一步加工产物，通常用于2019年8月27日 首页/ 水爆法 多晶硅破碎 产业结构调整指导目录（2019年本） 中华人民共和国国家发展和改革委员会令 第29号 《产业结构调整指导目录（2019年本）》已经2019年8月27日第2次委务会议审议通过,现予公布,自2020年1月1日起施行。水爆法 多晶硅破碎上海破碎生产线2020年4月14日 本发明涉及多晶硅生产技术领域，特别涉及一种多晶硅破碎系统和一种多晶硅破碎方法。背景技术目前国内多晶硅行业大多采用简单的人工破碎，人工破碎存在许多弊端。例如，产品质量不稳定，易产生非硅；生产效率 多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法与流程 X技术网西门子法生产多晶硅的工艺23第三代多晶硅生产流程第二代多晶硅生产流程中虽然SiCl4得到利用,但HCl仍然未进入循环。代和第二代多晶硅生产流程中, H2和HCl的分离可以用水洗法,并得到盐酸。而第三代多晶硅生产流程(图3)中不能用水洗法,因为这里要求西门子法生产多晶硅的工艺 百度文库
高压水射流粉碎技术研究概况宫维OK 道客巴巴
2016年3月31日 高压水射流粉碎技术研究概况宫维（天津科技大学海洋科学与工程学院，天津）摘要：本文从高压水射流粉碎机理、粉碎装置、主要粉碎方法以及其在工业上的应用情况等几方面对高压水射流粉碎技术研究概况进行了综述，并对高压水射流粉碎技术应用前景进行了展望。关键词：高压水射流；水 把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl) 与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 下面分硅烷气体的制备和硅烷气体转化成多晶硅的生产工艺两大部分，简要介绍一下硅烷法多晶硅生产工艺一、硅烷气体的制备 多晶硅提纯技术 百度文库2022年11月23日 一种抑制pecvd法生长多晶硅表面爆膜的方法 技术领域 1本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种抑制pecvd法生长多晶硅表面爆膜的方法。 背景技术： 2近年来，随着能源需求的不断提高，在传统化石燃料能源枯竭，以及人们环保意识的增强的背景下，发展清洁环保、可再生能源成为人类发展的 一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法与流程2014年9月8日 淀法）反应生产高纯多晶硅。改良西门子法生产多晶硅不但效率高而且环保。国内 外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。关键词：多晶 硅；改良西门子法；提纯；还原I改良西门子法生产多晶硅的工艺研究Improved改良西门子法生产多晶硅的工艺研究(毕业论文doc)道 豆丁网
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半导体专题：多晶硅的制备方法粉体资讯粉体圈
2024年7月19日 现在主要的多晶硅制备方法包括：改良西门子法、硅烷法、冶金法、气液沉积法。 1、改良西门子法 又称为三氯氢硅法，是在 1954年西门子半导体公司开发的三氯氢硅还原法的基础上改进的方法，国际上大多数生产电子级多晶硅和太阳能级多晶硅材料的厂商都在使用这种方法，可以占多晶硅总产能的 2025年1月10日 多晶硅作为光伏及半导体产业链的上游近年发展潜力巨大，多晶硅的生产包括两大主流工艺，改良西门子法和硅烷流化床法，目前全球主流的多晶硅生产方法是改良西门子法，国内外95%以上的多晶硅是采用改良西门子法生产的，是目前应用最为广泛的生产技术。多晶硅生产工艺过程气体分析仪(电解法氯气水分分析仪)应用 2022年4月7日 1本实用新型涉及多晶硅生产制造技术领域，更具体地说涉及一种多晶硅硅料水淬破碎机。背景技术： 2多晶硅，是单质硅的一种形态。 熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。一种多晶硅硅料水淬破碎机的制作方法2020年5月27日 5、燃爆法 燃爆法生产球形硅微粉是日本开发出来的技术，主要用来生产超细球形石英粉。燃爆法是一种利用金属粉末的燃爆过程生产球形的氧化物微粒的方法。把单晶或多晶硅粉末喷洒在氧气流中点火，生成的二氧化硅在高温下会变成蒸气或 被日本垄断的这种高端工业粉体材料，竟然有12种制备方法！
一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法与流程2
2022年11月23日 一种抑制pecvd法生长多晶硅表面爆膜的方法技术领域本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种抑制pecvd法生长多晶硅表面爆膜的方法。背景技术近年来，随着能源需求的不断提高，在传统化石燃料能源枯竭，以及人们环保意识的增强的背景下，发展清洁环保、可再生能源成为人类发展的 多晶硅生产中的废气处理方法（1）水洗法水洗法的主要原理是水与氯硅烷废气在几级串联的淋洗塔内发生水解吸收反应，喷淋水可以大量吸收废气中含有的氯化氢和氯硅烷水解产生的氯化氢，经过几级水解 吸收处理后的废气达标排放。（2）碱洗法碱洗 多晶硅生产中的废气处理方法百度文库改良西门子法将尾气中的各种组分全部进行回收利用，这样就可 以大大低降低原料的消耗。 3）减少污染：由于改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅 生产中的各种物 料得到充分的利用，排出的废料极少，相对传统西门子法而言， 污染得到了改良西门子法制多晶硅 百度文库下面分硅烷气体的制备和硅烷气体转化成多晶硅的生产工艺两大部分，简要介绍一下硅烷法多晶硅生产工艺一、硅烷气体的制备硅烷法多晶硅的生产离不开硅烷气体。硅烷气体的制备大致上有三种方法: 42国内多晶硅生产技术发展趋势12 5 结束语14 6致谢15 7参考多晶硅提纯技术 百度文库
多晶硅制作工艺流程简介pdf 4页 原创力文档
2017年5月22日 多晶硅制作工艺流程简介pdf,多晶硅制作工艺流程简介 1、改良西门子法是目前主流的生产方法 多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产 工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多 晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程 与硅烷法和流化床法相比，改良西门子法工艺更成熟、安全性更高：硅烷法和流化床法生产多晶硅的过程中都存在中间产物SiH4气，SiH4易燃易爆，并且在实际生产过程中发生过严重的爆炸事故，所以这2种方法的安全性比较差，危险系数高。 （3）硅烷的热分解多晶硅硅的化学制备 百度文库改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置多晶硅生产工艺流程及相关问题 (附西门子法生产工艺)百度文库2020年8月14日 本发明涉及多晶硅制备领域，具体是一种多晶硅破碎装置及破碎方法。背景技术国内多晶硅行业经过多年技术积淀，产能已达到世界领先水平，生产线产能动辄2万吨起步，还原炉以36对棒、45对棒为主流设备，(东方希 一种多晶硅破碎装置及破碎方法与流程
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一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网
2019年12月24日 本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供了一种水爆破碎多晶硅料的方法。 该方法采用装料筐装载原生硅多晶硅棒料进行加热保温，然后在水槽中进行水爆，再经对碰破碎制备得到硅料，通过对工艺的整体设计和控制，得到粉尘少、表面圆润且尺寸均匀的硅料，促进了硅料拉制单晶的成晶性，提高了硅料的产量和转化率，减少了物料损耗，缩短 2023年5月27日 多晶硅棒破碎是多晶硅后处理工序中相对独立的环节，将其破碎成块状或较小的结构，其主要目的就是将硅原料棒加工成下游厂家生产所需要规格的块状硅体商品。 工业应用领域的多晶硅产品通常为块状。 商业产品中，一般会把多晶硅产品制作成5kg和30kg包装袋规格，一些特殊领域对于高精度硅的纯度要求非常之高，甚至要求达到9999999％以上高纯度标准。 多 光伏多晶硅料为何需要破碎？如何破碎？ 中国粉体网本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术摘要：本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料 置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载原生硅多晶硅棒 料的装料框进行流动水冷却，得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒一种水爆破碎多晶硅料的方法[发明专利]百度文库
一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程2 X技术网
2019年12月24日 3根据权利要求1所述的一种水爆破碎多晶硅料的方法，其特征在于，步骤一中所述原生硅多晶硅棒料的导电类型为n型，基磷电阻率大于400ωcm，少数载流子寿命大于500μs，碳原子含量不超过20×10 16 atoms/cm 3，氧原子含量不超过02×10 17 atoms/cm 3摘要：本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料 置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载 摘要： 本发明公开了一种破碎多晶硅的方法,包括如下步骤:步骤一,将多晶硅置于水爆法 多晶硅破碎2024年11月19日 本发明涉及多晶硅材料水淬爆及应力释放处理破碎相关，具体为一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法。 背景技术： 1、节约能源，降低损耗，提高自动化程度已经成为社会共识，各光伏企业对晶硅水淬爆破碎后粉料率和物料的品质，表金属 一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法与流程2019年10月22日 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法，该方法的具体过程为：将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空，然后通入氩气并加热保温后随炉冷却，将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却，得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅 一种水爆破碎多晶硅料的方法 钛学术文献服务平台
一种破碎多晶硅的方法及其装置制造方法及图纸，多晶硅破碎
2012年12月26日 本发明专利技术公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。 本发明专利技术所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明专利技 2023年5月10日 本发明公开了一种单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法，包括：用于容纳硅料棒料的水爆槽，所述水爆槽为矩形状结构，且水爆槽的底面以底面向上延伸的四周均为密封状结构；用于加热并转移硅料棒料的装置部；用于加热并 单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水爆装置及其使用方法
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